SDRAM AEC-Q100 Grade 2 et 3 Infineon, 64 MB Surface 8 bit 105 °C -40 °C 24 broches, FBGA-24 billes
- Code commande RS:
- 273-7513
- Référence fabricant:
- S27KL0642DPBHI020
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,17 € |
| 10 - 24 | 2,51 € |
| 25 - 49 | 2,46 € |
| 50 - 99 | 2,39 € |
| 100 + | 2,35 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7513
- Référence fabricant:
- S27KL0642DPBHI020
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Taille de la mémoire | 64Mo | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 200MHz | |
| Nombre de bits par mot | 16 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | FBGA-24 billes | |
| Nombre de broches | 24 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 105°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | S27K | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 6mm | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Standard automobile | AEC-Q100 Grade 2 et 3 | |
| Courant d'alimentation | 360μA | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.8V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit SDRAM | ||
Taille de la mémoire 64Mo | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 200MHz | ||
Nombre de bits par mot 16 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier FBGA-24 billes | ||
Nombre de broches 24 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 105°C | ||
Normes/homologations No | ||
Série S27K | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 6mm | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Standard automobile AEC-Q100 Grade 2 et 3 | ||
Courant d'alimentation 360μA | ||
Tension d'alimentation minimum 1.8V | ||
La DRAM d'Infineon est une DRAM CMOS haute vitesse, auto-rafraîchissante, avec interface HYPERBUS. Le tableau DRAM utilise des cellules dynamiques qui nécessitent un rafraîchissement périodique. La logique de commande de rafraîchissement à l'intérieur du dispositif gère les opérations de rafraîchissement sur le tableau DRAM lorsque la mémoire n'est pas en cours de lecture ou d'écriture active par l'interface maître HYPERBUS. Comme l'hôte n'est pas requis pour gérer les opérations de rafraîchissement, le tableau DRAM apparaît à l'hôte comme si la mémoire utilisait des cellules statiques qui conservent les données sans rafraîchissement. Par conséquent, la mémoire est plus précisément décrite comme une pseudo-RAM statique.
Vitesse d'horloge maximale de 200 MHz
Débit de données jusqu'à 400 Mo/s
Strobe de données bidirectionnelle de lecture et d'écriture
AEC Q100 de classe 2 et 3 pour l'automobile
Strobe de lecture DDR alignée au centre en option
DDR transfère des données sur les deux bords de l'horloge