SDRAM AEC-Q100 Grade 2 et 3 Infineon, 64 MB Surface 8 bit 105 °C -40 °C 24 broches, FBGA-24 billes

La DRAM d'Infineon est une DRAM CMOS haute vitesse, auto-rafraîchissante, avec interface HYPERBUS. Le tableau DRAM utilise des cellules dynamiques qui nécessitent un rafraîchissement périodique. La logique de commande de rafraîchissement à l'intérieur du dispositif gère les opérations de rafraîchissement sur le tableau DRAM lorsque la mémoire n'est pas en cours de lecture ou d'écriture active par l'interface maître HYPERBUS. Comme l'hôte n'est pas requis pour gérer les opérations de rafraîchissement, le tableau DRAM apparaît à l'hôte comme si la mémoire utilisait des cellules statiques qui conservent les données sans rafraîchissement. Par conséquent, la mémoire est plus précisément décrite comme une pseudo-RAM statique.

Vitesse d'horloge maximale de 200 MHz