Cosse cylindrique à sertir TE Connectivity, pas de 1 mm, 240 voies, Droit, montage Traversant DDR3 1.5V 500mA 85 °C -55
- Code commande RS:
- 718-4748
- Référence fabricant:
- 1932000-1
- Marque:
- TE Connectivity
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 718-4748
- Référence fabricant:
- 1932000-1
- Marque:
- TE Connectivity
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | TE Connectivity | |
| Type d'emplacement mémoire | DIMM | |
| Type de produit | Cosse cylindrique à sertir | |
| Méthode d'insertion/d'extraction | Insert direct | |
| Orientation | Droit | |
| Courant | 500mA | |
| Matériau de contact | Alliage de cuivre | |
| Placage du contact | Or | |
| Nombre de contacts | 240 | |
| Pas | 1mm | |
| Type de montage | Traversant | |
| Matériau du boîtier | Nylon | |
| Type de SDRAM | DDR3 | |
| Dispositif de verrouillage | Oui | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Type de raccordement | Soudure | |
| Entraxe entre rangées | 1.9mm | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Tension | 1.5V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque TE Connectivity | ||
Type d'emplacement mémoire DIMM | ||
Type de produit Cosse cylindrique à sertir | ||
Méthode d'insertion/d'extraction Insert direct | ||
Orientation Droit | ||
Courant 500mA | ||
Matériau de contact Alliage de cuivre | ||
Placage du contact Or | ||
Nombre de contacts 240 | ||
Pas 1mm | ||
Type de montage Traversant | ||
Matériau du boîtier Nylon | ||
Type de SDRAM DDR3 | ||
Dispositif de verrouillage Oui | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Type de raccordement Soudure | ||
Entraxe entre rangées 1.9mm | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Normes/homologations No | ||
Tension 1.5V | ||
Support DIMM, à 240 contacts pour SDRAM-DDR
Ce support DIMM (Module mémoire en ligne DIL) convient à la technologie de mémoire centrale SDRAM DDR 2 (double débit de données) de prochaine génération pour appareils mobile, de bureau, de serveurs et de communication. Cette technologie remplacera la SDRAM DDR actuelle qui utilise la prise à 184 positions.
Double rangée, espacement entre les contacts de 1 mm
Même conception de contact anti-raboutage fiable comme la prise de courant DDR à 184 positions
Les verrous et extracteurs standard en plastique assurent une rétention et une extraction du module appropriées
Matériau du boîtier thermoplastique haute température
Connecteurs de carte mémoire
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