MOSFET canal N STMicroelectronics 4 A 1.5 kV Enrichissement, 3 broches, TO-3PF STFW4

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Code commande RS:
151-933
Référence fabricant:
STFW4N150
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

1.5kV

Série

STFW4

Type de Boitier

TO-3PF

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

6Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

29nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

44mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

15.7mm

Hauteur

44mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
KR
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est conçu à l'aide du processus MESH OVERLAY basé sur l'agencement de bandes consolidées. Le résultat est un produit qui égale ou améliore les performances de pièces standard comparables d'autres fabricants.

testé à 100% en avalanche

Capacités intrinsèques et Qg minimisées

Commutation à grande vitesse

Boîtier plastique TO 3PF entièrement isolé

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