MOSFET canal N STMicroelectronics 4 A 1.5 kV Enrichissement, 3 broches, TO-3PF STFW4
- Code commande RS:
- 151-932
- Référence fabricant:
- STFW4N150
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 4,464 € | 133,92 € |
| 150 - 270 | 4,352 € | 130,56 € |
| 300 + | 4,232 € | 126,96 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-932
- Référence fabricant:
- STFW4N150
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.5kV | |
| Série | STFW4 | |
| Type de Boitier | TO-3PF | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 29nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 15.7mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 44mm | |
| Hauteur | 44mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.5kV | ||
Série STFW4 | ||
Type de Boitier TO-3PF | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 29nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 15.7mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 44mm | ||
Hauteur 44mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- KR
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est conçu à l'aide du processus MESH OVERLAY basé sur l'agencement de bandes consolidées. Le résultat est un produit qui égale ou améliore les performances de pièces standard comparables d'autres fabricants.
testé à 100% en avalanche
Capacités intrinsèques et Qg minimisées
Commutation à grande vitesse
Boîtier plastique TO 3PF entièrement isolé
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