MOSFET canal N STMicroelectronics 2.4 A 600 V Enrichissement, 3 broches, IPAK SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-949
- Référence fabricant:
- STD3NK60Z-1
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 75 - 675 | 0,666 € | 49,95 € |
| 750 - 1800 | 0,599 € | 44,93 € |
| 1875 + | 0,491 € | 36,83 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-949
- Référence fabricant:
- STD3NK60Z-1
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | IPAK | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.6Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 45W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier IPAK | ||
Série SuperMESH | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.6Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 45W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé en utilisant la technologie Super MESH, une optimisation du Power MESH bien établi. En plus d'une réduction significative de la résistance à l'enclenchement, ces dispositifs sont conçus pour assurer un niveau élevé de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
testé à 100 % en avalanche
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Protégé par Zener
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