MOSFET SuperMESH protégé par Zener canal N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SuperMESH

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485-7412
Référence fabricant:
STP10NK60Z
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET SuperMESH protégé par Zener

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

SuperMESH

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.75Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

Tension directe Vf

1.6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

JESD97, ECOPACK

Hauteur

9.15mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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