MOSFET canal N STMicroelectronics 4 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH

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Code commande RS:
486-2313
Référence fabricant:
STP4NK60ZFP
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18.8nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

4.6mm

Hauteur

9.3mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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