MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 600 V Enrichissement, 2 broches, TO-263 STB
- Code commande RS:
- 214-850
- Référence fabricant:
- STB45N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
3 768,00 €
HT
4 522,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,768 € | 3 768,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-850
- Référence fabricant:
- STB45N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | STB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 99mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 44nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 210W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.85mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série STB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 2 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 99mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 44nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 210W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.85mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Largeur 10.4mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes de récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone, avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Robusteté dv/dt extrêmement élevée
Protégé Zener
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 30 A 600 V Enrichissement TO-263 STB
- MOSFET N STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement TO-263 STB
- MOSFET N STMicroelectronics 12 A 600 V Enrichissement TO-263 MDmesh DM2
- MOSFET N STMicroelectronics 56 A 250 V Mode d'amélioration TO-263 STB Series
- MOSFET N STMicroelectronics 28 A 600 V Enrichissement TO-263 STB37N60 AEC-Q101
- MOSFET de puissance SuperMESH N STMicroelectronics 4 A 600 V Enrichissement TO-263 SuperMESH
- MOSFET N STMicroelectronics 30 A 200 V Enrichissement TO-263 STripFET
- MOSFET N STMicroelectronics 30 A 710 V Enrichissement TO-263 MDmesh M5