MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 600 V Enrichissement, 2 broches, TO-263 STB
- Code commande RS:
- 214-850
- Référence fabricant:
- STB45N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
3 768,00 €
HT
4 522,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,768 € | 3 768,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-850
- Référence fabricant:
- STB45N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | STB | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 99mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 210W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 44nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Longueur | 15.85mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série STB | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 2 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 99mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 210W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 44nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 10.4mm | ||
Longueur 15.85mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes de récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone, avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Robusteté dv/dt extrêmement élevée
Protégé Zener
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