MOSFET N STMicroelectronics 33 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, Hip-247 SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-972
- Référence fabricant:
- SCTWA40N12G24AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
432,90 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 14,43 € | 432,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-972
- Référence fabricant:
- SCTWA40N12G24AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 33A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | SCTWA40N12G24AG | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 105mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 3.4V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 63nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 290W | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 33A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série SCTWA40N12G24AG | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 105mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 3.4V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 63nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 290W | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le composant MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de deuxième génération de ST. Le dispositif se caractérise par une résistance à l'enclenchement remarquablement faible par unité de surface et de très bonnes performances de commutation. La variation de la perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
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