MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 90 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches, Hip-247-4 SCT019 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 719-469
- Référence fabricant:
- SCT019W120G3-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 719-469
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- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 90A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | Hip-247-4 | |
| Série | SCT019 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 19.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 486W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -10V, 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 120nC | |
| Tension directe Vf | 2.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Longueur | 21.1mm | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Largeur | 15.9mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 90A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier Hip-247-4 | ||
Série SCT019 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 19.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 486W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -10V, 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 120nC | ||
Tension directe Vf 2.8V | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Longueur 21.1mm | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Largeur 15.9mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3e génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Certifié AEC-Q101
RDS(on) très faible sur toute la plage de températures
Performances de commutation à haute vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Broche de détection de la source pour une efficacité accrue
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