MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247 45 A 1200 V, 3 broches

Code commande RS:: 168-8966
Référence fabricant:: SCT30N120
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247 45 A 1200 V, 3 broches

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Code commande RS:: 168-8966
Référence fabricant:: SCT30N120
Marque:: STMicroelectronics

SCT30N120, Silicon Carbide Power MOSFET 45A, 1200V, 90mOhm N-Channel in HiP247

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	45 A
Tension Drain Source maximum	1200 V
Type de boîtier	HiP247
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	100 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Dissipation de puissance maximum	270 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-10 V, +25 V
Température d'utilisation maximum	+200 °C
Matériau du transistor	Si
Longueur	15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs	105 nC @ 20 V
Largeur	5.15mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Tension directe de la diode	3.5V
Hauteur	20.15mm

MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247 45 A 1200 V, 3 broches

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Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) à canal N, STMicroelectronics