MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247 91 A 1200 V, 3 broches

Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Cela entraîne une résistance à l'état passant inégalée par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température. Les propriétés thermiques remarquables du matériau SIC permettent aux concepteurs d'utiliser un contour standard avec une capacité thermique nettement améliorée. Ces caractéristiques rendent le dispositif parfaitement adapté pour les applications à haut rendement et haute densité de puissance.

Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement (TJ = 200 °C)
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacités d'entrée