MOSFET N STMicroelectronics 91 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, Hip-247 SCTWA70N120G2V-4
- Code commande RS:
- 233-0474
- Référence fabricant:
- SCTWA70N120G2V-4
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
1 097,22 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 36,574 € | 1 097,22 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 233-0474
- Référence fabricant:
- SCTWA70N120G2V-4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 91A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCTWA70N120G2V-4 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 30mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 2.7V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 150nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 547W | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Longueur | 34.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 91A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCTWA70N120G2V-4 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 30mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 2.7V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 150nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 547W | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Longueur 34.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacité d'entrée
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement (TJ = 200 °C)
Broche de détection de source pour plus de rendement
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