MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247-4 91 A 1200 V, 4 broches

Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.

Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacité d'entrée
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement (TJ = 200 °C)
Broche de détection de source pour plus de rendement