MOSFET N STMicroelectronics 45 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247

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907-4741
Référence fabricant:
SCT30N120
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

45A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

Hip-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

100mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

105nC

Tension directe Vf

3.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

270W

Température d'utilisation maximum

200°C

Normes/homologations

No

Longueur

15.75mm

Hauteur

20.15mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) à canal N, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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