MOSFET canal N Nexperia 60 A 25 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM
- Code commande RS:
- 219-309
- Référence fabricant:
- PSMN6R1-25MLDX
- Marque:
- Nexperia
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-309
- Référence fabricant:
- PSMN6R1-25MLDX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Série | PSM | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10.7nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 42W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Série PSM | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10.7nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 42W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est doté d'un portefeuille NextPowerS3 utilisant la technologie SchottkyPlus unique de NXP pour fournir un haut rendement, des performances de pointe faibles généralement associées aux transistor MOSFET avec une diode de Schottky ou de type Schottky intégrée, mais sans courant de fuite élevé problématique. Le NextPowerS3 est particulièrement adapté aux applications à haut rendement à des fréquences de commutation élevées.
Faible inductance parasite et faible résistance
Boîtier Power SO8 avec clip collé et matrice à souder haute fiabilité
Commutation ultra-rapide avec récupération souple
Qualifié jusqu'à 175 °C
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