MOSFET canal N Nexperia 60 A 40 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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Code commande RS:
219-384
Référence fabricant:
PSMN8R5-40MLDX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

59W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia utilise la technologie de jonction avancée TrenchMOS Super. Le boîtier est qualifié pour 175 °C. Il est conçu pour les applications de commutation d'alimentation haute performance. Les applications clés incluent l'automatisation, la robotique, les convertisseurs c.c.-c.c., la commande de moteur c.c. brushless, la commutation de charge industrielle, l'eFuse et la gestion d'induction.

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