MOSFET canal N Nexperia 86 A 60 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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219-366
Référence fabricant:
PSMN7R5-60YLX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

86A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

7.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

60.6nC

Dissipation de puissance maximum Pd

147W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS, IEC 60134

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET canal N de Nexperia est fourni dans un boîtier LFPAK56 et utilise la technologie TrenchMOS. Il est conçu pour une utilisation dans une large gamme d'applications d'alimentation et de commande de moteur. Les applications clés incluent la rectification synchrone dans la topologie LLC, les chargeurs et adaptateurs avec une tension de sortie inférieure à 10 V, les applications de charge rapide et USB-PD, la commande de moteur alimenté par batterie et l'éclairage à LED/rétroéclairage de la télévision.

Fonctionnement de la grille de niveau logique

Homologué Avalanche et testé à 100 %

LLFPAK fournit une densité de puissance maximale dans un boîtier SO8 de puissance

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