MOSFET canal N Nexperia 50 A 40 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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219-486
Référence fabricant:
PSMN6R7-40MLDX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

6.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

65W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia utilise la technologie de jonction avancée TrenchMOS Super. Le boîtier est qualifié pour 175 °C. Il est conçu pour les applications de commutation d'alimentation haute performance. Les applications clés incluent l'automatisation, la robotique, les convertisseurs c.c.-c.c., la commande de moteur c.c. brushless, la commutation de charge industrielle, l'eFuse et la gestion d'induction.

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