MOSFET canal N Nexperia 300 A 30 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM
- Code commande RS:
- 219-313
- Référence fabricant:
- PSMN1R0-30YLDX
- Marque:
- Nexperia
Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*
2 500,50 €
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3 000,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 1,667 € | 2 500,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-313
- Référence fabricant:
- PSMN1R0-30YLDX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 300A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | PSM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 238W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 57.3nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 300A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série PSM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 238W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 57.3nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est doté d'un portefeuille NextPowerS3 utilisant la technologie SchottkyPlus unique de NXP pour fournir un haut rendement, des performances de pointe faibles généralement associées aux transistor MOSFET avec une diode de Schottky ou de type Schottky intégrée, mais sans courant de fuite élevé problématique. Le NextPowerS3 est particulièrement adapté aux applications à haut rendement à des fréquences de commutation élevées.
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