MOSFET canal N Nexperia 325 A 40 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM
- Code commande RS:
- 219-472
- Référence fabricant:
- PSMN1R0-40SSHJ
- Marque:
- Nexperia
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité, sur un ruban de 1)*
4,28 €
HT
5,14 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 2 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,28 € |
| 10 - 99 | 3,85 € |
| 100 - 499 | 3,54 € |
| 500 - 999 | 3,29 € |
| 1000 + | 2,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-472
- Référence fabricant:
- PSMN1R0-40SSHJ
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 325A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | PSM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 137nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 8mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Longueur | 8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 325A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série PSM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 137nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 8mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Longueur 8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est doté d'un portefeuille NextPowerS3 utilisant la technologie SchottkyPlus unique de NXP pour fournir un haut rendement, des performances de pointe faibles généralement associées aux transistor MOSFET avec une diode de Schottky ou de type Schottky intégrée, mais sans courant de fuite élevé problématique. Le NextPowerS3 est particulièrement adapté aux applications à haut rendement à des fréquences de commutation élevées.
Faible inductance parasite et faible résistance
Utilisable en avalanche
Capable de souder à la vague
Commutation ultra-rapide avec récupération souple
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Nexperia 325 A 40 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET canal N Nexperia 425 A 40 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET canal N Nexperia 240 A 25 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET canal N Nexperia 300 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET canal N Nexperia 280 A 40 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET canal N Nexperia 275 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET canal N Nexperia 57 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET canal N Nexperia 66 A 30 V Enrichissement LFPAK PSM