MOSFET canal N Nexperia 111 A 100 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*

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Code commande RS:
219-371
Référence fabricant:
PSMN7R2-100YSFX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

111A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

PSM

Type de Boitier

LFPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

6.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

194W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

50nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est qualifié pour 175 °C. Il est idéal pour les applications industrielles et grand public. Il est adapté pour la rectification synchrone dans les convertisseurs c.a.-c.c. et c.c.-c.c., la commutation latérale primaire dans les systèmes c.c.-c.c. 48 V, la commande de moteur BLDC, les adaptateurs USB-PD et mobiles à charge rapide, ainsi que les topologies de rappel et de résonance.

Puissante valeur nominale d'énergie d'avalanche

Homologué Avalanche et testé à 100 %

Sans Ha et conforme à la directive RoHS

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