MOSFET canal N Nexperia 111 A 100 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK PSM

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Code commande RS:
219-372
Référence fabricant:
PSMN7R2-100YSFX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

111A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

LFPAK

Série

PSM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

6.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Dissipation de puissance maximum Pd

194W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

50nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est qualifié pour 175 °C. Il est idéal pour les applications industrielles et grand public. Il est adapté pour la rectification synchrone dans les convertisseurs c.a.-c.c. et c.c.-c.c., la commutation latérale primaire dans les systèmes c.c.-c.c. 48 V, la commande de moteur BLDC, les adaptateurs USB-PD et mobiles à charge rapide, ainsi que les topologies de rappel et de résonance.

Puissante valeur nominale d'énergie d'avalanche

Homologué Avalanche et testé à 100 %

Sans Ha et conforme à la directive RoHS

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