MOSFET canal N Nexperia 48 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 NSF030120L3A0
- Code commande RS:
- 219-449
- Référence fabricant:
- NSF030120L3A0Q
- Marque:
- Nexperia
Sous-total (1 tube de 450 unités)*
13 712,40 €
HT
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 450 + | 30,472 € | 13 712,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-449
- Référence fabricant:
- NSF030120L3A0Q
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 48A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | NSF030120L3A0 | |
| Type de montage | Circuit imprimé | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 113nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 306W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 48A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série NSF030120L3A0 | ||
Type de montage Circuit imprimé | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 113nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 306W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance SiC de Nexperia est fourni dans un boîtier en plastique TO-247-3 compact à 3 broches pour le montage à montage traversant sur les circuits imprimés. Son excellente stabilité de température RDS(on) et sa vitesse de commutation rapide en font l'idéal pour les applications industrielles haute puissance et haute tension, y compris l'infrastructure de charge de véhicules électriques, les inverseurs photovoltaïques et les entraînements de moteur.
Récupération rapide des données inversées
Vitesse de commutation rapide
Pertes de commutation à l'arrêt indépendantes de la température
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
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