MOSFET canal N Nexperia 67 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches, TO-247

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219-448
Référence fabricant:
NSF030120L4A0Q
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

67A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Circuit imprimé

Nombre de broches

4

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance Nexperia SiC est présenté dans un boîtier plastique compact TO-247 à 4 broches pour un montage par trou débouchant sur les circuits imprimés. Son excellente stabilité à la température RDS(on) et sa vitesse de commutation rapide en font la solution idéale pour les applications industrielles à haute puissance et à haute tension, notamment les infrastructures de recharge des véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques et les entraînements de moteurs.

Récupération rapide des données inversées

Vitesse de commutation rapide

Pertes de commutation indépendantes de la température

Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste

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