MOSFET canal N Nexperia 67 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, TO-263 NSF030120D7A0
- Code commande RS:
- 219-443
- Référence fabricant:
- NSF030120D7A0J
- Marque:
- Nexperia
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- Code commande RS:
- 219-443
- Référence fabricant:
- NSF030120D7A0J
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 67A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | NSF030120D7A0 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 30mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 113nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 306W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 67A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série NSF030120D7A0 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 30mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 113nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 306W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance Nexperia SiC est présenté dans un boîtier plastique compact TO-263 à 7 broches pour un montage en surface sur les circuits imprimés. Son excellente stabilité à la température RDS(on) et sa vitesse de commutation rapide en font la solution idéale pour les applications industrielles à haute puissance et à haute tension, notamment les infrastructures de recharge des véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques et les entraînements de moteurs.
Récupération rapide des données inversées
Vitesse de commutation rapide
Pertes de commutation indépendantes de la température
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
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