MOSFET canal N Nexperia 38.27 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, TO-263 NSF060120D7A0
- Code commande RS:
- 219-446
- Référence fabricant:
- NSF060120D7A0J
- Marque:
- Nexperia
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- Code commande RS:
- 219-446
- Référence fabricant:
- NSF060120D7A0J
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 38.27A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | NSF060120D7A0 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 60mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 167W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 57nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 38.27A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série NSF060120D7A0 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 167W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 57nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance Nexperia SiC est présenté dans un boîtier plastique compact TO-263 à 7 broches pour un montage en surface sur les circuits imprimés. Son excellente stabilité à la température RDS(on) et sa vitesse de commutation rapide en font la solution idéale pour les applications industrielles à haute puissance et à haute tension, notamment les infrastructures de recharge des véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques et les entraînements de moteurs.
Récupération rapide des données inversées
Vitesse de commutation rapide
Pertes de commutation indépendantes de la température
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
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