MOSFET 2 canal Type N, Type P Double (Nch+Pch) ROHM 8.5 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOP-8 HP8K Non

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Code commande RS:
264-877
Référence fabricant:
HP8ME5TB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

Type N, Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

8.5A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

HSOP-8

Série

HP8K

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

273mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19.7nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Configuration du transistor

Double (Nch+Pch)

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Le MOSFET de puissance ROHM présente une configuration à double canal N avec une tension nominale de 100V et une capacité de courant de 8,5A. Conçu dans un boîtier HSOP8, il offre une faible résistance à l'enclenchement.

Faible résistance à état passant

Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8)

Plombage sans plomb et conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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