MOSFET 2 canal Type P ROHM 12.5 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOP-8 HP8J Non
- Code commande RS:
- 264-654
- Référence fabricant:
- HP8JE5TB1
- Marque:
- ROHM
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,192 € | 5,96 € |
| 50 - 95 | 1,132 € | 5,66 € |
| 100 - 495 | 1,048 € | 5,24 € |
| 500 - 995 | 0,964 € | 4,82 € |
| 1000 + | 0,928 € | 4,64 € |
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- Code commande RS:
- 264-654
- Référence fabricant:
- HP8JE5TB1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | HSOP-8 | |
| Série | HP8J | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 127mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 21W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier HSOP-8 | ||
Série HP8J | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 127mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 21W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 38.0nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Le ROHM Semiconductor est un MOSFET à double canal P conçu pour des applications de commutation et de commande de moteur efficaces. Il se caractérise par une faible résistance à l'enclenchement et une forte dissipation de puissance, ce qui le rend idéal pour les circuits à haute performance. Le dispositif est logé dans un boîtier 8-HSOP, assurant un montage en surface compact et fiable.
Conformité RoHS
Paquet haute puissance
Placage sans plomb
Sans halogène
Rg et ISU testés
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