MOSFET P ROHM 18 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOP-8 RQ3N060AT
- Code commande RS:
- 331-689
- Référence fabricant:
- RQ3N060ATTB1
- Marque:
- ROHM
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|---|---|---|---|
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| 500 - 990 | 0,446 € | 4,46 € | 18% |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 331-689
- Référence fabricant:
- RQ3N060ATTB1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | RQ3N060AT | |
| Type de Boitier | HSOP-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 52mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 50nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série RQ3N060AT | ||
Type de Boitier HSOP-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 52mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 50nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le ROHM Power MOSFET est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation et de commande de moteurs. Ce MOSFET de puissance est présenté dans un boîtier de petite taille à haute puissance.
Placage sans plomb
Conformité RoHS
Sans halogène
Testé 100 % Rg et ISU
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