MOSFET P ROHM 43 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOP-8 RS1
- Code commande RS:
- 265-472
- Référence fabricant:
- RS1N110ATTB1
- Marque:
- ROHM
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- Code commande RS:
- 265-472
- Référence fabricant:
- RS1N110ATTB1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 43A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | HSOP-8 | |
| Série | RS1 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 21.0mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 40W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 135nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 43A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier HSOP-8 | ||
Série RS1 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 21.0mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 40W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 135nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance ROHM présente une faible résistance à l'enclenchement et est conçu dans un boîtier de petite taille à haute puissance, ce qui le rend idéal pour les applications de commutation et les commandes de moteur. Sa taille compacte permet d'obtenir des performances efficaces tout en optimisant l'espace dans les conceptions électroniques.
Conformité RoHS
Faible résistance à l'état passant
Placage sans plomb
Sans halogène
100 % Rg et ISU testés
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