MOSFET Infineon canal N, PG-WHSON-8 85 A 100 V, 8 broches

Le MOSFET d'Infineon est doté d'un transistor de puissance OptiMOS 5 conçu pour les applications à haute performance, offrant des capacités robustes de redressement synchrone pour les alimentations à découpage. Ce MOSFET à canal N est doté d'un boîtier compact PG WHSON 8, conçu pour gérer des niveaux de puissance plus élevés tout en garantissant une efficacité et une fiabilité maximales. Il bénéficie d'une certification unique en matière de tests d'avalanche et d'une résistance thermique supérieure, ce qui le rend idéal pour les applications industrielles où les performances sont essentielles. Avec une tension de source de drain de 100 V et une résistance à l'état passant remarquablement faible, ce transistor se distingue sur le marché. Sa conception de pointe lui permet de répondre aux normes rigoureuses de la norme IEC60947 5 2 et à la conformité RoHS, ce qui lui permet de répondre aux besoins des fabricants soucieux de l'environnement.

Optimisé pour les SMPS à haut rendement
fiabilité testée à 100 % en avalanche
Performance thermique supérieure à celle des concurrents
Plombage sans plomb pour le respect de l'environnement
Conforme à la directive RoHS pour une empreinte écologique réduite
La construction sans halogène minimise l'impact sur l'environnement
Conçu pour répondre à des normes industrielles strictes