MOSFET P Infineon -19.5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8FL OptiMOS Power Transistor
- Code commande RS:
- 284-805
- Référence fabricant:
- ISZ810P06LMATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
2 105,00 €
HT
2 525,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,421 € | 2 105,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-805
- Référence fabricant:
- ISZ810P06LMATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -19.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PG-TSDSON-8FL | |
| Série | OptiMOS Power Transistor | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 81mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -19.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PG-TSDSON-8FL | ||
Série OptiMOS Power Transistor | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 81mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET d'Infineon est un transistor de puissance avancé qui fournit des performances et une fiabilité exceptionnelles, ce qui en fait un choix idéal pour les applications industrielles exigeantes. La série de transistors de puissance OptiMOS d'Infineon excelle en termes d'efficacité énergétique avec ses caractéristiques de faible résistance à l'arrêt, garantissant une perte d'énergie minimale pendant le fonctionnement. Sa conception robuste est entièrement qualifiée conformément aux normes JEDEC, offrant la tranquillité d'esprit aux ingénieurs qui recherchent des composants durables. Fonctionnant à 60 V, il est adapté pour les applications hautes performances tout en conservant une faible résistance thermique, ce qui permet une gestion efficace de la chaleur.
La configuration du canal P optimise le contrôle du courant
Compatibilité de niveau logique pour une interface facile
Avalanche testé pour la fiabilité sous contrainte
Le placage en plomb sans plomb est conforme aux réglementations environnementales
La construction sans halogène prend en charge une production plus propre
Caractéristiques thermiques améliorées pour un fonctionnement cohérent
Courant de drain continu élevé pour diverses applications
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