MOSFET canal N Infineon 36.5 A 950 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolMOS
- Code commande RS:
- 284-922
- Référence fabricant:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-922
- Référence fabricant:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 36.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 950V | |
| Type de Boitier | PG-TO-247 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 130mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 227W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 36.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 950V | ||
Type de Boitier PG-TO-247 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 130mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 227W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET d'Infineon est doté d'un dispositif d'alimentation avancé qui représente la dernière innovation dans la technologie de super jonction, spécialement conçu pour les applications exigeantes telles que l'éclairage et les alimentations industrielles. L'intégration de diodes de corps ultra-rapides améliore la réactivité, ce qui en fait l'idéal pour les topologies de résonance. Avec des performances robustes et une fiabilité supérieure, cet appareil est à la pointe de l'efficacité en matière de gestion de l'énergie. Une attention particulière a été accordée à la réduction de la charge de récupération inverse, ce qui permet d'augmenter les fréquences de commutation et la densité de puissance dans les conceptions.
La diode à corps rapide intégrée garantit la fiabilité
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La construction durable favorise la stabilité à long terme
Intégration transparente dans les circuits existants
Optimal pour les applications à haute tension avec une sécurité accrue
Le boîtier compact réduit l'empreinte du PCB et augmente la flexibilité
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