MOSFET ROHM 10 A 80 V, 8 broches, HSMT-8 RQ3N

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 ruban de 10 unités)*

4,94 €

HT

5,93 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard

Unité
Prix par unité
le ruban*
10 - 900,494 €4,94 €
100 - 2400,469 €4,69 €
250 - 4900,434 €4,34 €
500 - 9900,401 €4,01 €
1000 +0,384 €3,84 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
329-148
Référence fabricant:
RQ3N040ATTB1
Marque:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

RQ3N

Type de Boitier

HSMT-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

126mΩ

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22nC

Dissipation de puissance maximum Pd

15W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance ROHM est un boîtier à faible résistance à l'enclenchement et à haute puissance, adapté à la commutation et aux commandes de moteurs. Il se caractérise par une faible résistance à l'enclenchement et une diode de protection porte-source intégrée, ce qui permet de l'utiliser avec les convertisseurs c.c./c.c et autres circuits de gestion de l'énergie.

Petit boîtier moulé haute puissance

Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

Testé 100 % Rg et ISU

Sans halogène

Nos clients ont également consulté