MOSFET de puissance STMicroelectronics 60 A 650 V, 7 broches, HU3PAK SCT0 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 330-233
- Référence fabricant:
- SCT027HU65G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 330-233
- Référence fabricant:
- SCT027HU65G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SCT0 | |
| Type de Boitier | HU3PAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 29mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 60.4nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 3.5mm | |
| Longueur | 18.58mm | |
| Largeur | 14mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SCT0 | ||
Type de Boitier HU3PAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 29mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 60.4nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 3.5mm | ||
Longueur 18.58mm | ||
Largeur 14mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- JP
Le circuit MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé en utilisant la technologie MOSFET SiC de 3ème génération avancée et innovante de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Qualifié AEC-Q101
RDS(on) très faible sur toute la plage de température
Performances de commutation à grande vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Broche de détection de la source pour une efficacité accrue
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