MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 26 A 650 V N, 7 broches, HU3PAK STHU65N1 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 762-553
- Référence fabricant:
- STHU65N110DM9AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Code commande RS:
- 762-553
- Référence fabricant:
- STHU65N110DM9AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 26A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | STHU65N1 | |
| Type de Boitier | HU3PAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 78nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 179W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Longueur | 11.9mm | |
| Largeur | 14.1mm | |
| Hauteur | 0.95mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 26A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série STHU65N1 | ||
Type de Boitier HU3PAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 78nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 179W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Longueur 11.9mm | ||
Largeur 14.1mm | ||
Hauteur 0.95mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- JP
Le transistor MOSFET Super Junction Power de canal N de STMicroelectronics est un dispositif d'alimentation à haut rendement basé sur la technologie Advanced MDmesh M9 Super Junction. Il est conçu pour les applications de moyenne à haute tension où les faibles pertes de conduction et la commutation rapide sont critiques.
Très faible facteur de mérite (FdM)
Capacité dv/dt plus élevée
Excellentes performances de commutation
100 % testé contre les avalanches
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