MOSFET de puissance N STMicroelectronics 26 A 650 V N, 7 broches, HU3PAK STHU65N1 AEC-Q101

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Code commande RS:
762-553
Référence fabricant:
STHU65N110DM9AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Canal N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

26A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

HU3PAK

Série

STHU65N1

Type de montage

Montage en surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

110mΩ

Mode de canal

N

Charge de porte typique Qg @ Vgs

78nC

Dissipation de puissance maximum Pd

179W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

0.95mm

Longueur

11.9mm

Normes/homologations

AEC-Q101

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
JP
Le transistor MOSFET Super Junction Power de canal N de STMicroelectronics est un dispositif d'alimentation à haut rendement basé sur la technologie Advanced MDmesh M9 Super Junction. Il est conçu pour les applications de moyenne à haute tension où les faibles pertes de conduction et la commutation rapide sont critiques.

Très faible facteur de mérite (FdM)

Capacité dv/dt plus élevée

Excellentes performances de commutation

100 % testé contre les avalanches

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