MOSFET N STMicroelectronics 36 A 600 V, 7 broches, HU3PAK STHU47 AEC-Q101

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Code commande RS:
234-8899
Référence fabricant:
STHU47N60DM6AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

36A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

STHU47

Type de Boitier

HU3PAK

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

80mΩ

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

55nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le MOSFET de puissance haute tension à canal N de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone, avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.

Qualifié AEC-Q101

Diode de corps à récupération rapide

RDS(on) plus faible par surface par rapport à la génération précédente

Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance

Testée à 100% en avalanche

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