MOSFET canal N STMicroelectronics 29 A 600 V, 7 broches, HU3PAK STHU36N AEC-Q101
- Code commande RS:
- 234-8897
- Référence fabricant:
- STHU36N60DM6AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 600 unités)*
1 913,40 €
HT
2 296,20 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 600 + | 3,189 € | 1 913,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 234-8897
- Référence fabricant:
- STHU36N60DM6AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 29A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | HU3PAK | |
| Série | STHU36N | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 99mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 210W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 29A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier HU3PAK | ||
Série STHU36N | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 99mΩ | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 210W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET de puissance haute tension à canal N de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone, avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Qualifié AEC-Q101
Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) plus faible par surface par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testée à 100% en avalanche
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