MOSFET canal Double N ROHM 12 A 60 V Enrichissement, 8 broches, HSOP-8 HP8KC5

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Code commande RS:
331-684
Référence fabricant:
HP8KC5TB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

Double N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

HSOP-8

Série

HP8KC5

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

139mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

20W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.1nC

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

Pb-Free Plating, RoHS

Standard automobile

Non

Le ROHM Power MOSFET est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation et de commande de moteurs. Ce MOSFET de puissance est présenté dans un petit boîtier pour montage en surface.

Placage sans plomb

Conformité RoHS

Sans halogène

Testé 100 % Rg et ISU

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