MOSFETs simples canal Double N ROHM 18.5 A 150 V Enrichissement, 8 broches, HSOP-8 HP8KF7H
- Code commande RS:
- 687-364
- Référence fabricant:
- HP8KF7HTB1
- Marque:
- ROHM
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|---|---|---|
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| 20 - 48 | 1,345 € | 2,69 € |
| 50 - 198 | 1,205 € | 2,41 € |
| 200 - 998 | 0,97 € | 1,94 € |
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- Code commande RS:
- 687-364
- Référence fabricant:
- HP8KF7HTB1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | Double N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | HSOP-8 | |
| Série | HP8KF7H | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 62mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 26W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 20nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal Double N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier HSOP-8 | ||
Série HP8KF7H | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 62mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 26W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 20nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 6.1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 6.1mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance à canal N de ROHM est conçu pour gérer efficacement la puissance dans diverses applications électroniques. Avec une faible résistance à l'état passant de 62 mΩ et un boîtier HSOP8 compact, ce MOSFET assure une gestion thermique supérieure et une grande fiabilité. Ses spécifications prennent en charge un courant de drain continu de ±18,5 A, ce qui le rend idéal pour les tâches exigeantes telles que les entraînements de moteur. Offrant un excellent rendement énergétique et conforme aux normes RoHS et sans halogène, il s'intègre parfaitement dans les conceptions électroniques avancées tout en garantissant la responsabilité environnementale.
Optimisé pour une faible résistance à l'état passant, améliorant l'efficacité globale
Le boîtier HSOP8 compact permet des conceptions peu encombrantes
Idéal pour une variété d'applications, y compris les entraînements de moteur
Répond aux exigences RoHS et sans halogène en matière de sécurité environnementale
Des courants de drain continus et pulsés élevés garantissent la fiabilité sous charge
Excellente gestion thermique avec des valeurs nominales de résistance thermique faibles
Conçu pour des applications de commutation haute performance avec un délai minimal
Fonctionnement stable sur une large plage de températures de -55 à +150 °C
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