MOSFET P Microchip 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 VP3203
- Code commande RS:
- 332-980
- Référence fabricant:
- VP3203N3-G
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 sachet de 1000 unités)*
1 668,00 €
HT
2 002,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Nouveau produit - précommandez dès aujourd'hui
- Expédition à partir du 13 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Le Sachet* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,668 € | 1 668,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 332-980
- Référence fabricant:
- VP3203N3-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | VP3203 | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série VP3203 | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de Microchip est un transistor à faible seuil, à mode d'amélioration, qui utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication de la grille en silicium qui a fait ses preuves. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur.
Absence de dégradation secondaire
Faible consommation d'énergie
Facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesse de commutation rapide
Impédance d'entrée et gain élevés
Excellente stabilité thermique
Diode source-drain intégrée
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Microchip 250 mA 60 V Enrichissement TO-92
- MOSFET P Microchip 175 mA 40 V Enrichissement TO-92
- MOSFET P Microchip 16.5 V Enrichissement TO-92 LP0701
- MOSFET P Microchip -640 mA -60 V Enrichissement TO-92 VP2206
- MOSFET P Microchip 140 A 30 V Enrichissement TO-92 VP0106
- MOSFET P Microchip 140 A 30 V Enrichissement TO-92 VP0109
- MOSFETs simples P Microchip 280 mA 80 V Enrichissement TO-92 VP0808
- MOSFET P Microchip -175 A 200 V Enrichissement TO-92 TP0620