MOSFET canal N Microchip 50 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 VN3205
- Code commande RS:
- 333-225
- Référence fabricant:
- VN3205N3-G
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 sachet de 1000 unités)*
1 512,00 €
HT
1 814,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Nouveau produit - précommandez dès aujourd'hui
- Expédition à partir du 09 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Le Sachet* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,512 € | 1 512,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 333-225
- Référence fabricant:
- VN3205N3-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 50V | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Série | VN3205 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Tension Drain Source maximum Vds 50V | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Série VN3205 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor à mode d'amélioration de Microchip utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication de la grille de silicium qui a fait ses preuves. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur.
Absence de dégradation secondaire
Faible consommation d'énergie
Facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesse de commutation rapide
Excellente stabilité thermique
Diode de drain à source intégrale
Impédance d'entrée et gain élevés
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Microchip 3 A Enrichissement TO-92
- MOSFET N Microchip 1.5 A 50 V MOSFET SOT-89 VN3205
- MOSFET N Microchip 40 V Enrichissement TO-92 VN0104
- MOSFET N Microchip 190 mA 240 V Enrichissement TO-92
- MOSFET N Microchip 40 V Enrichissement TO-92 TN0604
- MOSFET N Microchip 20 V Enrichissement TO-92 TN0702
- MOSFET N Microchip 230 mA 60 V Enrichissement TO-92
- MOSFET N Microchip 300 mA 60 V Enrichissement TO-92 TN2106