MOSFET canal N Infineon 275 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS-TM5

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Code commande RS:
348-846
Référence fabricant:
ISC025N08NM5LF2ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

275A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PG-TDSON-8 FL

Série

OptiMOS-TM5

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.55mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

217W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
AT
Le FET linéaire Infineon OptiMOS 5 de 60 V en boîtier PQFN 5x6 mm (SuperSO8), offrant la plus faible résistance à l'état passant RDS(on) de l'industrie et une large zone de fonctionnement sûre (SOA) à 25˚C et 125˚C. Le FET linéaire OptiMOS est une approche révolutionnaire qui résout le compromis entre la résistance à l'état passant et la capacité en mode linéaire.

Courant d'appel élevé activé

Démarrage rapide et temps d'arrêt réduit

Encombrement standard de l'industrie

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