MOSFET Infineon canal N, PG-WHTFN-9 789 A 25 V, 9 broches
- Code commande RS:
- 348-874
- Référence fabricant:
- IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
- Marque:
- Infineon
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 348-874
- Référence fabricant:
- IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum | 789 A | |
| Tension Drain Source maximum | 25 V | |
| Type de boîtier | PG-WHTFN-9 | |
| Série | OptiMOS 5 | |
| Type de montage | CMS | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum 789 A | ||
Tension Drain Source maximum 25 V | ||
Type de boîtier PG-WHTFN-9 | ||
Série OptiMOS 5 | ||
Type de montage CMS | ||
Nombre de broches 9 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
- Pays d'origine :
- MY
Ce MOSFET de puissance Infineon est doté du RDS(ON) le plus bas de l'industrie, soit 0,29 mOhm, associé à des performances thermiques exceptionnelles pour une gestion aisée des pertes de puissance. L'empreinte Centre-Gate est optimisée pour la parallélisation.
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