MOSFET canal Type N, Type N Infineon 700 A 30 V Enrichissement, 9 broches, PG-WHTFN-9 OptiMOS 5 Non

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Code commande RS:
348-875
Référence fabricant:
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N, Type N

Courant continu de Drain maximum Id

700A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

PG-WHTFN-9

Série

OptiMOS 5

Type de montage

Surface

Nombre de broches

9

Résistance Drain Source maximum Rds

0.35mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

278W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Ce MOSFET Infineon présente un faible RDS(on) de 0,35 mOhm associé à des performances thermiques exceptionnelles pour une gestion aisée des pertes de puissance. L'empreinte Centre-Gate est optimisée pour la parallélisation.

Pertes de conduction minimisées

Commutation rapide

Dépassement de tension réduit

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