MOSFET canal N Infineon 16 A 750 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO247-4 CoolSiC AEC-Q101
- Code commande RS:
- 348-947
- Référence fabricant:
- AIMZA75R140M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
14,14 €
HT
16,96 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 240 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 7,07 € | 14,14 € |
| 20 - 198 | 6,355 € | 12,71 € |
| 200 + | 5,855 € | 11,71 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-947
- Référence fabricant:
- AIMZA75R140M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 750V | |
| Type de Boitier | PG-TO247-4 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 182mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 86W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 750V | ||
Type de Boitier PG-TO247-4 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 182mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 86W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET CoolSiC 750 V d'Infineon est construit sur la technologie de carbure de silicium solide développée par Infineon depuis plus de 20 ans. Exploitant les caractéristiques du matériau SiC à large bande interdite, le MOSFET CoolSiC 750 V offre une combinaison unique de performances, de fiabilité et de facilité d'utilisation. Adapté aux températures élevées et aux opérations difficiles, il permet le déploiement simplifié et rentable d'un système d'une efficacité maximale.
Technologie de fixation de matrice propre à Infineon
Broche source du pilote disponible
Robustesse et fiabilité accrues pour les tensions de bus supérieures à 500 V
Efficacité supérieure dans la commutation dure
Fréquence de commutation plus élevée dans les topologies de commutation douce
Robustesse à l'égard de l'activation parasite pour la commande de grille unipolaire
Pertes de commutation réduites grâce à un meilleur contrôle de la grille
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 44 A 750 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 60 A 750 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 23 A 750 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 32 A 750 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 89 A 750 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 75 A 750 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 89 A 750 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET N Infineon 44 A 750 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC