MOSFET canal N Infineon 38 A 650 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO247-4 CoolSiC

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Code commande RS:
349-338
Référence fabricant:
IMZA65R050M2HXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

38A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

PG-TO247-4

Série

CoolSiC

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

62mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

23V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22nC

Dissipation de puissance maximum Pd

153W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le MOSFET CoolSiC G2 650 V d'Infineon est conçu sur la base de la technologie robuste en carbure de silicium de 2e génération d'Infineon, fournissant des performances inégalées, une fiabilité supérieure et une facilité d'utilisation excellente. Ce MOSFET avancé permet des conceptions rentables, hautement efficaces et simplifiées, répondant aux besoins sans cesse croissants des systèmes d'alimentation et des marchés modernes. Il offre une solution puissante pour obtenir un rendement supérieur du système dans diverses applications, garantissant des performances optimales dans des environnements exigeants.

Pertes de commutation très faibles

Robuste contre les activations parasites, même avec une tension de grille à l'arrêt de 0 V

Tension d'attaque flexible et compatible avec le système d'attaque bipolaire

Fonctionnement robuste des diodes de corps en cas de commutation dure

La technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie

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