MOSFET canal N Infineon 23 A 750 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO247-4 CoolSiC
- Code commande RS:
- 349-345
- Référence fabricant:
- IMZA75R090M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-345
- Référence fabricant:
- IMZA75R090M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 23A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 750V | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de Boitier | PG-TO247-4 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 117mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 113W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 23A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 750V | ||
Série CoolSiC | ||
Type de Boitier PG-TO247-4 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 117mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 113W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le dispositif de puissance CoolSiC G1 750 V d'Infineon repose sur la technologie de carbure de silicium solide d'Infineon, développée depuis plus de 20 ans. En exploitant les caractéristiques uniques des matériaux SiC à large bande interdite, le MOSFET CoolSiC 750 V offre une combinaison unique de performances, de fiabilité et de facilité d'utilisation. Il est spécialement conçu pour les températures élevées et les conditions de fonctionnement difficiles, ce qui permet de simplifier et de rentabiliser le déploiement des systèmes avec le plus haut rendement. Ce MOSFET est idéal pour les applications nécessitant des performances robustes et des solutions à faible consommation d'énergie.
Robustesse et fiabilité accrues pour les tensions de bus supérieures à 500 V
Efficacité supérieure dans la commutation dure
Fréquence de commutation plus élevée dans les topologies de commutation douce
Robustesse à l'égard de l'activation parasite pour la commande de grille unipolaire
Pertes de commutation réduites grâce à un meilleur contrôle de la grille
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