MOSFET canal N Infineon 134 A 200 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO263-3 OptiMOS-TM6
- Code commande RS:
- 349-400
- Référence fabricant:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-400
- Référence fabricant:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 134A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | PG-TO263-3 | |
| Série | OptiMOS-TM6 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 73nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 134A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier PG-TO263-3 | ||
Série OptiMOS-TM6 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 73nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS-TM6, dissipation de puissance maximale de 300 W, tension de source de drain maximale de 200 V - IPB068N20NM6ATMA1
Ce MOSFET d'amélioration à canal N est un dispositif de commutation à courant élevé conçu pour les applications de gestion de puissance nécessitant de faibles pertes de conduction et des performances thermiques robustes. Il fonctionne comme un transistor à montage en surface dans un boîtier PG-TO263-3, adapté aux circuits où une commutation compacte et haute puissance est nécessaire sur une large plage de températures.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 200 V permet une capacité de commutation haute tension
• La faible valeur Rds(on) de 6,8 mΩ réduit les pertes de conduction à des courants élevés
• Le courant de drain continu 134 A prend en charge les applications à courant élevé
• La dissipation de puissance de 300 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille typique de 73 nC permet des transitions de grille plus rapides
• La plage de fonctionnement de -55 à 175 °C résiste aux environnements de température difficiles
• La faible valeur Rds(on) de 6,8 mΩ réduit les pertes de conduction à des courants élevés
• Le courant de drain continu 134 A prend en charge les applications à courant élevé
• La dissipation de puissance de 300 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille typique de 73 nC permet des transitions de grille plus rapides
• La plage de fonctionnement de -55 à 175 °C résiste aux environnements de température difficiles
Applications
• Adapté au redressement synchrone dans les alimentations
• Idéal pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les rails haute tension
• Utilisé avec les variateurs de moteur nécessitant un courant continu élevé
• Peut être utilisé pour les commutateurs de charge dans les systèmes d'alimentation industriels
• Convient aux modules de gestion de l'alimentation à haute température
• Idéal pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les rails haute tension
• Utilisé avec les variateurs de moteur nécessitant un courant continu élevé
• Peut être utilisé pour les commutateurs de charge dans les systèmes d'alimentation industriels
• Convient aux modules de gestion de l'alimentation à haute température
Quelle méthode de montage est nécessaire pour un contact thermique fiable?
Le dispositif est conçu pour un montage en surface
Le boîtier PG-TO263-3 permet la fixation de circuits imprimés soudés avec un grand coussin thermique pour faciliter le transfert de chaleur vers la carte et les dispositifs de dissipation thermique.
Comment l'exigence d'entraînement de grille affecte-t-elle la conception de la commutation?
La tension maximale grille-source est de 20 V et la charge de grille typique est de 73 nC, de sorte que la sélection de driver de grille doit fournir suffisamment de courant pour atteindre la vitesse de commutation souhaitée tout en respectant les limites Vgs.
Quelles sont les conditions environnementales auxquelles il peut résister ?
Il est conforme aux normes spécifiées, y compris RoHS et aux niveaux de contrainte de température/humidité CEI spécifiés, et est conçu pour fonctionner de -55 °C à 175 °C pour une utilisation dans des environnements thermiques exigeants.
Quelles sont les limites électriques qui protègent contre les surtensions?
La tension maximale drain-source du dispositif est de 200 V et son courant de drain continu nominal est de 134 A
les conceptions doivent inclure une limitation de courant appropriée et une protection contre les transitoires afin d'éviter de dépasser ces paramètres.
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